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        半导体光电自拍视频(非官网)

        主管单位:信息产业部
        主办单位:重庆光电技术研究所
        ISSN:1001-5868
        CN:50-1092/TN
        周期:双月
        语种:中文
        开本:大16开
        影响因子:0.280
        被引次数:7715
        影响力:中文核心期刊(2008)
        业务类型:自拍视频征订
        期刊级别:北大核心期刊国家级期刊
        阅读点数:
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        半导体光电自拍视频基础信息:

        《半导体光电》自拍视频是专业技术性刊物。刊载半导体光电器件、光通信系统和光传输、光存贮、光计算、处理技术,以及摄像、传感、遥感等方面的研究成果、学术论文、学位论文和工作报告,介绍光学、光子学、量子电子学、光电子学领域的新材料、新结构、新工艺、新器件,报道国内外该领域的研究和发展方向。读者对象为半导体光电专业的科技人员和大专院校师生。

        半导体光电自拍视频栏目设置:

        本刊主要栏目:动态综述、光电器件、材料、结构及工艺、光通信、光电技术应用。

        半导体光电自拍视频订阅方式:

        ISSN:1001-5868,CN:50-1092/TN,地址:重庆市南坪花园路14号44所内,邮政编码:400060。

        半导体光电自拍视频相关期刊


        半导体光电自拍视频社简介

        1.来稿要求论点明确、数据可靠、逻辑严密、文字精炼,每篇论文必须包括题目、作者姓名、作者单位、单位所在地及邮政编码、摘要和关键词、正文、参考文献和第一作者及通讯作者(一般为导师)简介(包括姓名、性别、职称、出生年月、所获学位、目前主要从事的工作和研究方向),在文稿的首页地脚处注明论文属何项目、何基金(编号)资助,没有的不注明。

        2.论文摘要尽量写成报道性文摘,包括目的、方法、结果、结论4方面内容(100字左右),应具有独立性与自含性,关键词选择贴近文义的规范性单词或组合词(3~5个)。

        3.文稿篇幅(含图表)一般不超过5000字,一个版面2500字内。文中量和单位的使用请参照中华人民共和国法定计量单位最新标准。外文字符必须分清大、小写,正、斜体,黑、白体,上下角标应区别明显。

        4.文中的图、表应有自明性。图片不超过2幅,图像要清晰,层次要分明。

        5.参考文献的著录格式采用顺序编码制,请按文中出现的先后顺序编号。所引文献必须是作者直接阅读参考过的、最主要的、公开出版文献。未公开发表的、且很有必要引用的,请采用脚注方式标明,参考文献不少于3条。

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        7.来稿文责自负。所有作者应对稿件内容和署名无异议,稿件内容不得抄袭或重复发表。对来稿有权作技术性和文字性修改,自拍视频一个版面2500字,二个版面5000字左右。作者需要安排版面数,出刊日期,是否加急等情况,请在邮件投稿时作特别说明。

        8.请作者自留备份稿,本部不退稿。

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        半导体光电自拍视频范例

        波导微环共振滤波器的滤波特性分析
        SOI基可变光学衰减器的回波损耗研究
        双层异质结器件载流子复合位置的研究
        用于红外单光子探测的APD二次封装技术
        Si基Ge量子点光电探测器的研究
        GaN基MSM结构紫外探测器光响应特性
        两基色白光LED的光视效能的研究
        1.55μmDFBLD光栅结构的优化设计
        用于红外探测的非晶硅薄膜晶体管
        Er3+/Yb3+共掺磷酸盐光纤放大器增益分析新模型
        光伏型光电探测器漂移-扩散模型的改进
        集成光波导微应力传感器研究
        数字光电耦合器隔离性能及动态特性测试仪
        MEMS封装用局部激光键合法及其实现
        InGaAs/InAlAs盖帽层对InAs自组装量子点发光性质的影响
        超晶格量子阱的沟道效应与光学双稳态效应
        掺锑二氧化锡薄膜的喷雾热解法制备与热处理
        铟对GaN基激光器晶体质量的影响
        Ag/S/C共掺杂纳米TiO2的制备与光催化活性
        可溶性PMOTOPV的合成及其光致发光性能
        二次退火对p型GaN的应变影响
        圆片直接键合界面表面能测试研究

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